快讯摘要
三大存储器厂聚焦HBM及高价DRAM,2024年重启资本支出,但NANDFlash资本投资缩减,Q3市场或现微幅供过于求,价格上涨趋缓。
快讯正文
【三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减,Q3 NANDFlash或供过于求】
随着HBM高价产品贡献获利的快速成长,带动产能排挤及产业供需改善,各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估,三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM,尽管企业级储存需求强劲,但NANDFlash市场仍存在供过于求隐忧,相较于过去两年,三星电子、SK海力士及美光今年对NANDFlash资本投资不增反减。NANDFlash报价逐季走扬,各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位,但市场估计,第三季NANDFlash或微幅供过于求,而NANDFlash价格上涨也将趋于平缓。